1. Ի՞նչ է ցածր E ապակին։

Ցածր E ապակին ցածր ճառագայթման ապակի է: Այն ձևավորվում է ապակու մակերեսը պատելով՝ ապակու ճառագայթման գործակիցը E-ն 0.84-ից նվազեցնելու համար մինչև 0.15-ից պակաս:

2. Որո՞նք են ցածր E ապակու առանձնահատկությունները:

① Բարձր ինֆրակարմիր անդրադարձունակություն, կարող է ուղղակիորեն արտացոլել հեռավոր ինֆրակարմիր ջերմային ճառագայթումը։

② Մակերեսային ճառագայթման գործակիցը E ցածր է, իսկ արտաքին էներգիան կլանելու ունակությունը՝ փոքր, ուստի վերաճառագայթվող ջերմային էներգիան փոքր է։

③ Ստվերման գործակից SC-ն ունի լայն միջակայք, և արևային էներգիայի փոխանցումը կարող է կարգավորվել տարբեր տարածաշրջանների կարիքները բավարարելու համար՝ ըստ կարիքների։

3. Ինչո՞ւ է ցածր E թաղանթը կարող անդրադարձնել ջերմությունը։

Ցածր-E թաղանթը պատված է արծաթե ծածկույթով, որը կարող է անդրադարձնել հեռավոր ինֆրակարմիր ջերմային ճառագայթման ավելի քան 98%-ը՝ հայելու կողմից անդրադարձված լույսի պես ջերմությունն ուղղակիորեն արտացոլելու համար: Ցածր-E-ի ստվերման գործակիցը SC կարող է տատանվել 0.2-ից մինչև 0.7, որպեսզի սենյակ մտնող ուղիղ արևային ճառագայթային էներգիան կարողանա կարգավորվել անհրաժեշտության դեպքում:

4. Որո՞նք են ապակու ծածկույթի հիմնական տեխնոլոգիաները։

Կան հիմնականում երկու տեսակ՝ առցանց ծածկույթ և վակուումային մագնետրոնային փոշիացման ծածկույթ (հայտնի է նաև որպես off-line ծածկույթ):

Առցանց պատված ապակին արտադրվում է լողացող ապակու արտադրության գծում: Այս տեսակի ապակին ունի միատեսակության, ցածր ջերմային անդրադարձման և ցածր արտադրական արժեքի առավելություններ: Դրա միակ առավելությունն այն է, որ այն կարող է տաք ծռվել:

Առանց արտադրության ծածկույթով ապակին ունի բազմազան տեսակներ, գերազանց ջերմային անդրադարձման կատարողականություն և ակնհայտ էներգախնայողության բնութագրեր: Դրա թերությունն այն է, որ այն չի կարող տաք ծռվել:

5. Կարո՞ղ է ցածր E ապակին օգտագործվել ամբողջական մասով։

Վակուումային մագնետրոնային փոշիացման գործընթացով արտադրված ցածր E ապակին չի կարող օգտագործվել մեկ կտորով, այլ կարող է օգտագործվել միայն սինթետիկ մեկուսիչ ապակու կամ շերտավոր ապակու մեջ: Այնուամենայնիվ, դրա ճառագայթման գործակիցը E շատ ավելի ցածր է, քան 0.15-ը և կարող է հասնել մինչև 0.01-ի:

Առցանց ծածկույթի գործընթացով արտադրված ցածր E ապակին կարող է օգտագործվել որպես ամբողջական մաս, սակայն դրա ճառագայթման գործակիցը E = 0.28 է: Խստորեն ասած, այն չի կարող անվանվել ցածր E ապակի (e ≤ 0.15 ճառագայթման գործակից ունեցող առարկաները գիտականորեն կոչվում են ցածր ճառագայթման առարկաներ):